Speicher-ICs

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MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (11x14.5)	Auf Lager6.246
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (11x14.5)	Auf Lager4.824
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (11x14.5)	Auf Lager4.860
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (11x14.5)	Auf Lager7.380
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (11x14.5)	Auf Lager8.244
MT53B512M32D2NP-053 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager6.012
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.232
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.712
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 16GB FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.380
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.982
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.568
MT53B512M32D2NP-062 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.164
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.772
MT53B512M32D2NP-062 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.572
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.812
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.708
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.392
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.364
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.676
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.040
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.572
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.138
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.030
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager5.220
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager7.938
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager4.392
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager5.580
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager6.894
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager4.320
MT53B512M64D4NK-053 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager7.074

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