Speicher-ICs

Speicher (46.590)
Speicher - Batterien (13)
Speicher - Konfigurations-Proms für FPGAs (578)
Speichercontroller (151)

Datensätze 47.332

Seite 1211/1578

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager5.094
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager7.020
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager3.006
MT53B512M64D4NK-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager4.644
MT53B512M64D4NK-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager7.884
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager9.469
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (15x15)	Auf Lager5.760
MT53B512M64D4NW-062 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.874
MT53B512M64D4NW-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.472
MT53B512M64D4NW-062 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.592
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.286
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.784
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.078
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.956
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.694
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.048
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.768
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.700
MT53B512M64D4PV-053 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.892
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.024
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.598
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.478
MT53B512M64D4PV-062 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.714
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.230
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.534
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.164
MT53B512M64D4TX-053 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.244
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.086
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.994
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.478

«
‹
1
...
1208
1209
1210
1211 (current)
1212
1213
1214
...
1578
›
»

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message