Speicher-ICs

IS43R16320F-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16320F-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16320F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R16320F-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16320F-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16320F-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800A-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800C-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16800E-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R32160D-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32160D-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32160D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32160D-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32400E-4B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 16ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32400E-4BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 16ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32400E-4BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 16ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-LFBGA (12x12)

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