Speicher-ICs

IS61DDPB42M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

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IS61DDPB42M36A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

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IS61DDPB44M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

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IS61DDPB451236A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

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IS61LF102418A-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-6.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-6.5TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102418A-6.5TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102418A-7.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-7.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-7.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-7.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LF102418A-7.5TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102418A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102418A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102418A-7.5TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102418B-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 133MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF102418B-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 133MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF102418B-7.5TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF102418B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF102418B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF102418B-7.5TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF102436A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102436A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF102436B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 117MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF102436B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 117MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LF12836A-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LF12836A-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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