Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Speicher-ICs

Datensätze 47.332
Seite 907/1578
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
IS61LF51218B-7.5TQLI
IS61LF51218B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager7.236
IS61LF51218B-7.5TQLI-TR
IS61LF51218B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager3.150
IS61LF51236A-6.5B2I
IS61LF51236A-6.5B2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 119-BBGA
  • Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)
Auf Lager2.088
IS61LF51236A-6.5B2I-TR
IS61LF51236A-6.5B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 119-BBGA
  • Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)
Auf Lager4.338
IS61LF51236A-6.5B2LI
IS61LF51236A-6.5B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 119-BBGA
  • Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)
Auf Lager2.502
IS61LF51236A-6.5B2LI-TR
IS61LF51236A-6.5B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 119-BBGA
  • Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)
Auf Lager7.704
IS61LF51236A-6.5B3
IS61LF51236A-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager7.506
IS61LF51236A-6.5B3I
IS61LF51236A-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager8.478
IS61LF51236A-6.5B3I-TR
IS61LF51236A-6.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager8.406
IS61LF51236A-6.5B3-TR
IS61LF51236A-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager8.298
IS61LF51236A-7.5B3
IS61LF51236A-7.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager2.862
IS61LF51236A-7.5B3I
IS61LF51236A-7.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager3.294
IS61LF51236A-7.5B3I-TR
IS61LF51236A-7.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager4.932
IS61LF51236A-7.5B3LI
IS61LF51236A-7.5B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager3.708
IS61LF51236A-7.5B3LI-TR
IS61LF51236A-7.5B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager5.562
IS61LF51236A-7.5B3-TR
IS61LF51236A-7.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager8.136
IS61LF51236A-7.5TQI
IS61LF51236A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager3.348
IS61LF51236A-7.5TQI-TR
IS61LF51236A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager6.786
IS61LF51236A-7.5TQLI
IS61LF51236A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager3.330
IS61LF51236A-7.5TQLI-TR
IS61LF51236A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager5.490
IS61LF51236B-6.5TQLI
IS61LF51236B-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager3.762
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 6.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager8.334
IS61LF51236B-7.5B3LI
IS61LF51236B-7.5B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager2.466
IS61LF51236B-7.5B3LI-TR
IS61LF51236B-7.5B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager8.244
IS61LF51236B-7.5TQLI
IS61LF51236B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager7.686
IS61LF51236B-7.5TQLI-TR
IS61LF51236B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 117MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager5.850
IS61LF6436A-8.5TQI
IS61LF6436A-8.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 90MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager6.678
IS61LF6436A-8.5TQI-TR
IS61LF6436A-8.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 90MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager6.786
IS61LF6436A-8.5TQLI
IS61LF6436A-8.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 90MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager3.852
IS61LF6436A-8.5TQLI-TR
IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 90MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager5.688