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IPU103N08N3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.740
IPU105N03L G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.424
IPU10N03LA Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1358pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: P-TO251-3-1 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.610
IPU10N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1358pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: P-TO251-3-1 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.262
IPU135N03L G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.056
IPU135N08N3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.384
IPU13N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: P-TO251-3-1 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.004
IPU20N03L G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: P-TO251-3-1 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.898
IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 178pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.066
IPU50R1K4CEBKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 178pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.208
IPU50R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 124pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.408
IPU50R2K0CEBKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 124pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 22W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.492
IPU50R3K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 84pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 26W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.868
IPU50R3K0CEBKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 84pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 18W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.070
IPU50R950CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.290
IPU50R950CEAKMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.758
IPU50R950CEBKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.096
IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.184
IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 61W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.668
IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.506
IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.556
IPU60R1K4C6BKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 28.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.004
IPU60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.640
IPU60R1K5CEAKMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 49W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.204
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.212
IPU60R2K0C6AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 22.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.520
IPU60R2K0C6BKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 22.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.770
IPU60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.338
IPU60R2K1CEBKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 22W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.662
IPU60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.038

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