Transistoren

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IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 211pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30.5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager13.890
IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 700V 7.4A TO251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager13.770
IPS80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager13.320
IPS80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.650
IPS80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 24W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager14.004
IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 22W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager13.332
IPS80R600P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager15.120
IPS80R750P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 51W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager16.482
IPS80R900P7AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.780
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 174pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.016
IPSA70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V 5.4A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.950
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 158pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 22.7W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager14.940
IPSA70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 163pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager17.412
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 17.6W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3-347 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager9.936
IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 517pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 59.5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager16.458
IPSA70R450P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 424pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager16.836
IPSA70R600CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V 10.5A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 474pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 86W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager15.258
IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 364pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 43.1W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager19.782
IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 306pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34.7W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager17.112
IPSA70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 400V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 211pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30.5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager17.448
IPSA70R950CEAKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3-347 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager12.414
IPSH4N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 90A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.582
IPSH5N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2653pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.348
IPSH6N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.364
IPSH6N03LB G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager8.046
IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager35.148
IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager71.916
IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9750pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager4.788
IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17000pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager29.388
IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager255.786

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