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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SCH1439-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3.5A SCH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-SCH Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager4.320
SCH1439-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-563/SCH6 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager5.130
SCH1601-A-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 16V SC28 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.220
SCH2080KEC Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 262W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager22.968
SCH2825-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.6A SCH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-SCH Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager2.484
SCT10N120 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: HiP247™ Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.228
SCT2080KEC Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 262W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager32.502
SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.106
SCT20N120 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 175W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: HiP247™ Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager1.633
SCT2120AFC Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 10A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager17.568
SCT2160KEC Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager40.590
SCT2280KEC Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 667pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 108W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager18.708
SCT2450KEC Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 463pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 85W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.536
SCT2750NYTB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 1700V .75 OHM 6A SIC FET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager17.460
SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager16.914
SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1700V 3.7A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PFM Paket / Fall: TO-3PFM, SC-93-3	Auf Lager13.728
SCT3017ALHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 118A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2884pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 427W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.986
SCT3022ALGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 93A TO247N Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 93A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2208pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 339W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager17.904
SCT3022ALHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 93A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2208pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 339W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager18.684
SCT3022KLGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SCT3022KL IS AN SIC (SILICON CAR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178nC @ 10V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2879pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 427W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.100
SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2879pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 427W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.942
SCT3030ALGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 70A TO247N Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1526pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 262W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager20.568
SCT3030ALHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1526pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 262W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.776
SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2222pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 339W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager18.816
SCT3030KLHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2222pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 339W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager22.080
SCT3040KLGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1337pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 262W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager18.210
SCT3040KLHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1337pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 262W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.160
SCT3060ALGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 39A TO247N Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 852pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager12.216
SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 852pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager14.352
SCT3080ALGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 30A TO247 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 18V Vgs (Max): +22V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 571pF @ 500V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 134W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247N Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager22.848

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