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SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager3.042
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.140
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.400
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.502
SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.412
SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 4V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.030
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.408
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.236
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager52.902
SSM3K318T,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.960
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager76.254
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 123pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager3.958.194
SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 436pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager48.078
SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager6.372
SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 126pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager4.104
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 38V 2A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 38V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager24.408
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.2V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager780.042
SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager27.714
SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 6A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: 175°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager8.874
SSM3K344R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager23.400
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager7.938
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 38V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 86pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager28.368
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager27.024
SSM3K35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SSM Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager5.400
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VESM Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager8.550
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.18A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: CST3C Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager87.708
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.344
SSM3K35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VESM Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager2.610
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VESM Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager7.632
SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: 175°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager165.462

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