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SM6K2T110 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager26.946
SMA5112 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V Leistung - max: 4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager3.402
SMA5117 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Leistung - max: 4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager7.020
SMA5118 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V Leistung - max: 4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager309
SMA5125 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Leistung - max: 4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager13.794
SMA5127 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550Ohm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Leistung - max: 4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager3.508
SMA5131 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager6.984
SMA5132 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 500V 1.5A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager7.848
SMA5133 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP	Auf Lager6.696
SMMA511DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6L Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V Leistung - max: 6.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SC-70-6 Dual	Auf Lager8.568
SMMB911DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® SC-75-6L Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SC-75-6L Dual	Auf Lager2.934
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.370
SP8J1TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.022
SP8J2FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.474
SP8J2TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.744
SP8J3FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.092
SP8J4TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.302
SP8J5FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.510
SP8J5TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.202
SP8J65TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.562
SP8J66TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.482
SP8K1FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.614
SP8K1TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.610
SP8K22FRATB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.552
SP8K22FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.136
SP8K24FRATB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.294
SP8K24FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.556
SP8K2FU6TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.016
SP8K2TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager650.148
SP8K31FRATB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.482

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