Transistoren

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SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Leistung - max: 23W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Dual	Auf Lager3.780
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V Leistung - max: 69.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8SCD Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8SCD	Auf Lager3.508
SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Leistung - max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8SCD Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8SCD	Auf Lager5.166
SISF20DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V Leistung - max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8SCD Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8SCD	Auf Lager5.364
SIX3134K-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays N-CHANNELMOSFETSOT-563 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 16V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager256.266
SIX3439K-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays N/P-CHANNELMOSFETSOT-563 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA, 660mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF, 170pF @ 16V Leistung - max: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager299.100
SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL 30V Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V Leistung - max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair® (3.3x3.3)	Auf Lager6.714
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Leistung - max: 16.7W, 31W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair®	Auf Lager8.748
SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: PowerPAIR®, TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V Leistung - max: 16.7W, 31W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager28.218
SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V Leistung - max: 16.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager5.472
SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V Leistung - max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager26.340
SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: PowerPAIR®, TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Leistung - max: 16.7W, 31W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager53.958
SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Leistung - max: 3.6W, 4.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager7.650
SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: PowerPAIR®, TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V Leistung - max: 16W, 16.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager22.590
SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Leistung - max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager56.190
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V Leistung - max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power33 (3x3)	Auf Lager8.550
SIZ700DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Leistung - max: 2.36W, 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager5.040
SIZ702DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Leistung - max: 27W, 30W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager7.506
SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Leistung - max: 20W, 30W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager2.232
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V Leistung - max: 27W, 48W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager8.820
SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V Leistung - max: 27W, 48W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager6.930
SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 12.5V Leistung - max: 27W, 48W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager8.694
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V Leistung - max: 27W, 48W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager8.568
SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: SkyFET®, TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V Leistung - max: 27W, 48W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager3.582
SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1830pF @ 15V Leistung - max: 48W, 100W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager7.668
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Leistung - max: 29W, 66W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair® (6x5)	Auf Lager29.004
SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Leistung - max: 20W, 33W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™	Auf Lager258
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Leistung - max: 48W, 100W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair® (6x5)	Auf Lager5.886
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V Leistung - max: 22.7W, 100W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair®	Auf Lager8.118
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V Leistung - max: 22.7W, 100W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair® (6x5)	Auf Lager8.928

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