Transistoren

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5LN01C-TB-EX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.424
5LN01C-TB-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CP Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.778
5LN01M-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 0.1A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-MCP Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager4.284
5LN01M-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-MCP Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.408
5LN01SP ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 0.1A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 3-SPA Paket / Fall: SC-72	Auf Lager3.978
5LN01SP-AC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 3-SPA Paket / Fall: SC-72	Auf Lager3.420
5LN01SS-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-SSFP Paket / Fall: SC-81	Auf Lager5.760
5LN01SS-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-SSFP Paket / Fall: SC-81	Auf Lager7.920
5LN01S-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMCP Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager7.560
5LP01C-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 70MA CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CP Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.586
5LP01C-TB-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 70MA CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CP Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.794
5LP01M-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V .07A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-MCP Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.246
5LP01M-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 70MA MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-MCP Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager4.572
5LP01M-TL-HX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 0.07A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-MCP Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.282
5LP01SP ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V .07A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 3-SPA Paket / Fall: SC-72	Auf Lager7.254
5LP01SP-AC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V .07A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 3-SPA Paket / Fall: SC-72	Auf Lager5.454
5LP01SS-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-SSFP Paket / Fall: SC-81	Auf Lager5.058
5LP01SS-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-SSFP Paket / Fall: SC-81	Auf Lager6.138
5LP01S-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMCP Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager2.880
5X49_BG7002B ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.942
62-0063PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.762
62-0095PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.482
62-0136PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3710pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.466
62-0203PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8676pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.554
64-0007 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.982
64-0055PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4520pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.542
64-2042 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 220W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.480
64-2092PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.942
64-2096PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7580pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager5.724
64-2105PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.138

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