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64-4051 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 16A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.148
64-4059PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.166
64-4092PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.094
64-4123PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.804
64-6006PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 247nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7370pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 430W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AC Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.596
64-8016 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.934
64-9144 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager7.902
64-9145 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4130pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager7.344
64-9146 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6580pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MT Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MT	Auf Lager4.248
64-9149PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V DIRECTFETL8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.598
64-9150PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V DIRECTFETL8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.448
6HP04CH-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 370mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24.1pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager29.448
6HP04MH-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V .37A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 370mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24.1pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70FL/MCPH3 Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager24.384
94-2110 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 162A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.862
94-2113 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.304
94-2304 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.146
94-2310 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.996
94-2335 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.454
94-2355PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.554
94-2386 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.478
94-2503PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.418
94-2989 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1970pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.796
94-3250 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MQ	Auf Lager2.052
94-3412PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2335pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.506
94-4007 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.758
94-4156PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1996pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.906
94-4582 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.914
94-4737 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 33A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.042
94-4762 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.624
94-4764 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.442

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