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EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datenblatt

EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datenblatt
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Micron Technology Inc.
Dieses Datenblatt behandelt 10 Teilenummern: EDB4416BBBH-1DIT-F-R, EDB4432BBBH-1D-F-R TR, EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR, EDB4416BBBH-1DIT-F-D, EDB4432BBBH-1D-F-D, EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR, EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR, EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D, EDB4432BBBJ-1D-F-R, EDB4432BBBJ-1D-F-D
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EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datenblatt Seite 22
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datenblatt Seite 23
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EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Micron Technology Inc.

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4432BBBH-1D-F-D

Micron Technology Inc.

EDB4432BBBH-1D-F-D

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
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Micron Technology Inc.

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Micron Technology Inc.

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4432BBBJ-1D-F-R

Micron Technology Inc.

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)
EDB4432BBBJ-1D-F-D

Micron Technology Inc.

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)