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EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Nur als Referenz

Teilenummer EDB4432BBBJ-1D-F-D
PNEDA Teilenummer EDB4432BBBJ-1D-F-D
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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EDB4432BBBJ-1D-F-D Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEDB4432BBBJ-1D-F-D
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
EDB4432BBBJ-1D-F-D, EDB4432BBBJ-1D-F-D Datenblatt (Total Pages: 137, Größe: 12.382,97 KB)
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EDB4432BBBJ-1D-F-D Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße4Gb (128M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall134-WFBGA
Lieferantengerätepaket134-FBGA (10x11.5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MT46V128M4FN-75Z:D TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (128M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (10x12.5)

CG8250AA

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

70V25S25PFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

709269S12PFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

S29GL128P10FFI023

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

Kürzlich verkauft

3214W-1-502E

3214W-1-502E

Bourns

TRIMMER 5K OHM 0.25W J LEAD TOP

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

SLF12575T-470M2R7-PF

SLF12575T-470M2R7-PF

TDK

FIXED IND 47UH 2.7A 52.8 MOHM

NFM21CC102R1H3D

NFM21CC102R1H3D

Murata

CAP FEEDTHRU 1000PF 20% 50V 0805

7A-8.000MBBK-T

7A-8.000MBBK-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

T495X107K025ATE150

T495X107K025ATE150

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 25V 2917

TAJA106K016RNJ

TAJA106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1206

7508110151

7508110151

Wurth Electronics Midcom

WE-UNIT OFFLINE TRANSFORMER

PE-64934NL

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Pulse Electronics Network

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