FGD3N60LSDTM-T Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A Leistung - max 40W Schaltenergie 250µJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/600ns Testbedingung 480V, 3A, 470Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) 234ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A Leistung - max 40W Schaltenergie 250µJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/600ns Testbedingung 480V, 3A, 470Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) 234ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
