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FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

Nur als Referenz

Teilenummer FGD3N60LSDTM-T
PNEDA Teilenummer FGD3N60LSDTM-T
Beschreibung INTEGRATED CIRCUIT
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.886
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGD3N60LSDTM-T Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGD3N60LSDTM-T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGD3N60LSDTM-T, FGD3N60LSDTM-T Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 886,28 KB)
PDFFGD3N60LSDTM-T Datenblatt Cover
FGD3N60LSDTM-T Datenblatt Seite 2 FGD3N60LSDTM-T Datenblatt Seite 3 FGD3N60LSDTM-T Datenblatt Seite 4 FGD3N60LSDTM-T Datenblatt Seite 5 FGD3N60LSDTM-T Datenblatt Seite 6 FGD3N60LSDTM-T Datenblatt Seite 7 FGD3N60LSDTM-T Datenblatt Seite 8

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FGD3N60LSDTM-T Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 10V, 3A
Leistung - max40W
Schaltenergie250µJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge12.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/600ns
Testbedingung480V, 3A, 470Ohm, 10V
Reverse Recovery Time (trr)234ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/112ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

FGP5N60LS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 12V, 14A

Leistung - max

83W

Schaltenergie

38µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

4.3ns/36ns

Testbedingung

400V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

RJH60T04DPQ-A1#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

208.3W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/136ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

IGP30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

280µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/177ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IRG4PSC71K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

790µJ (on), 1.98mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/54ns

Testbedingung

480V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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