MB85R4M2TFN-G-ASE1 Datenblatt
MB85R4M2TFN-G-ASE1 Datenblatt
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Fujitsu Electronics
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MB85R4M2TFN-G-ASE1
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Hersteller Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FRAM Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 150ns Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 1.8V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP |
