MB85R4M2TFN-G-ASE1
Nur als Referenz
| Teilenummer | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Fujitsu Electronics | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 426 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 Ressourcen
| Marke | Fujitsu Electronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MB85R4M2TFN-G-ASE1, MB85R4M2TFN-G-ASE1 Datenblatt
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 Technische Daten
| Hersteller | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 150ns |
| Zugriffszeit | 150ns |
| Spannung - Versorgung | 1.8V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 44-TSOP |
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