2N6660-E3
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Teilenummer | 2N6660-E3 |
PNEDA Teilenummer | 2N6660-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.308 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N6660-E3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | 2N6660-E3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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2N6660-E3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 990mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-205AD (TO-39) |
Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
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