AIKQ100N60CTXKSA1
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| Teilenummer | AIKQ100N60CTXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | AIKQ100N60CTXKSA1 |
| Beschreibung | IC DISCRETE 600V TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 21 - Jun 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AIKQ100N60CTXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AIKQ100N60CTXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AIKQ100N60CTXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 714W |
| Schaltenergie | 3.1mJ (on), 2.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 610nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/290ns |
| Testbedingung | 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-46 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 206W Schaltenergie 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A Leistung - max 255W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 132nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/245ns Testbedingung 180V, 35A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 48W Schaltenergie 270µJ (on), 86µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 61nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/128ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 150ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max 94W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/33ns Testbedingung 400V, 8A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 170µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 69nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/105ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
