ALD1110ESAL
Nur als Referenz
| Teilenummer | ALD1110ESAL |
| PNEDA Teilenummer | ALD1110ESAL |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.978 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD1110ESAL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD1110ESAL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ALD1110ESAL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Leistung - max | 600mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 37.1pF @ 10V Leistung - max 450mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket TUMT6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (Max) @ Id 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
