AOB5B65M1
Nur als Referenz
| Teilenummer | AOB5B65M1 |
| PNEDA Teilenummer | AOB5B65M1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 5A TO263 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.794 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 12 - Mai 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AOB5B65M1 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOB5B65M1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AOB5B65M1 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | Alpha IGBT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 15A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.98V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 83W |
| Schaltenergie | 80µJ (on), 70µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 8.5ns/106ns |
| Testbedingung | 400V, 5A, 60Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 195ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 700A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 120A Leistung - max 1500W Schaltenergie 6.75mJ (on), 5.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 412nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/176ns Testbedingung 600V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXYK) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max 160W Schaltenergie 620µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/140ns Testbedingung 480V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.14V @ 15V, 60A Leistung - max 78W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1ns/65ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 45A Leistung - max 297.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 58ns/131ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A Leistung - max 284W Schaltenergie 250µJ (on), 4.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/220ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 67ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
