APT33GF120BRG
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT33GF120BRG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT33GF120BRG | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 819 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT33GF120BRG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT33GF120BRG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT33GF120BRG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 52A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 104A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 297W |
| Schaltenergie | 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/210ns |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 360V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4.8µs Testbedingung 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 61W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 40A Leistung - max 480W Schaltenergie 3.9mJ (on), 660µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/125ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
