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APTC60AM70T1G

APTC60AM70T1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60AM70T1G
PNEDA Teilenummer APTC60AM70T1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APTC60AM70T1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60AM70T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTC60AM70T1G, APTC60AM70T1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 322 KB)
PDFAPTC60AM70T1G Datenblatt Cover
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APTC60AM70T1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

µCool™

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

271pF @ 10V

Leistung - max

710mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-WDFN (2x2)

IRF7755TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.63mOhm @ 200A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

496nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14700pF @ 800V

Leistung - max

20mW (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-EASY2BM-2

DMN4027SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

604pF @ 20V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1478pF @ 10V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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