APTM50AM19FG
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| Teilenummer | APTM50AM19FG |
| PNEDA Teilenummer | APTM50AM19FG |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.362 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM50AM19FG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM50AM19FG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM50AM19FG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 163A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 81.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 492nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22400pF @ 25V |
| Leistung - max | 1136W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA (Ta), 720mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC, 1.76nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 90pF, 110pF @ 10V Leistung - max 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
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