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AUIRLR2908

AUIRLR2908

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRLR2908
PNEDA Teilenummer AUIRLR2908
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AUIRLR2908 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRLR2908
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AUIRLR2908, AUIRLR2908 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 666,92 KB)
PDFAUIRLR2908 Datenblatt Cover
AUIRLR2908 Datenblatt Seite 2 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 3 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 4 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 5 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 6 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 7 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 8 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 9 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 10 AUIRLR2908 Datenblatt Seite 11

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AUIRLR2908 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 4.5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1890pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)120W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-PAK (TO-252AA)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BSD214SN L6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

DMPH1006UPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6334pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRF7821GTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTD80N02G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDP7N60NZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET-II™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

147W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

FC-12M 32.7680KA-A5

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EPSON

CRYSTAL 32.768KHZ 12.5PF SMD

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Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

HSMG-C680

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Broadcom

LED GREEN CLEAR CHIP SMD R/A

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

MMSD4148T1G

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

7A-8.000MBBK-T

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Linear Technology/Analog Devices

IC OR CTRLR SRC SELECT 24QFN

PDS760-13

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

LTST-C171GKT

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Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

ASDXRRX001PGAA5

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Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESS GAUGE ANALOG 0-1PSI

S202T01

S202T01

Sharp Microelectronics

SSR RELAY SPST-NO 2A 80-240V

LM2904AQTH-13

LM2904AQTH-13

Diodes Incorporated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOP