BFP 520F E6327
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| Teilenummer | BFP 520F E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFP-520F-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.488 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFP 520F E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP 520F E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP 520F E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3.5V |
| Frequenz - Übergang | 45GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.95dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 22.5dB |
| Leistung - max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 20mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 35V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB Leistung - max 60W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M135 Lieferantengerätepaket M135 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9.5V Frequenz - Übergang 900MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 2.8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.5dB @ 800MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1GHz Gewinn 12dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
