BFU660F,115
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| Teilenummer | BFU660F,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFU660F-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.708 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU660F Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU660F,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU660F Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.5V |
| Frequenz - Übergang | 21GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
| Gewinn | 12dB ~ 21dB |
| Leistung - max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343F |
| Lieferantengerätepaket | 4-DFP |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Frequenz - Übergang 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 67 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-623F Lieferantengerätepaket M03 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 17.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn 13dB ~ 15.5dB Leistung - max 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
