MRF5812GR2
Nur als Referenz
| Teilenummer | MRF5812GR2 |
| PNEDA Teilenummer | MRF5812GR2 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.784 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MRF5812GR2 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF5812GR2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MRF5812GR2 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| Gewinn | 13dB ~ 15.5dB |
| Leistung - max | 1.25W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
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