BSV79
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| Teilenummer | BSV79 |
| PNEDA Teilenummer | BSV79 |
| Beschreibung | IC FET N-CH TO-18 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSV79 Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSV79 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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BSV79 Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 2V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 40 Ohms |
| Leistung - max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 40 Ohms Leistung - max 250mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
