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CAV24C16YE-GT3

CAV24C16YE-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAV24C16YE-GT3
PNEDA Teilenummer CAV24C16YE-GT3
Beschreibung IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8TSSOP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 27.384
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 17 - Jul 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CAV24C16YE-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAV24C16YE-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAV24C16YE-GT3, CAV24C16YE-GT3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 142,56 KB)
PDFCAV24C08YE-GT3 Datenblatt Cover
CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 2 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 3 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 4 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 5 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 6 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 7 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 8 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 9 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 10 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 11

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CAV24C16YE-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit900ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

18Mb (256K x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.3ns

Spannung - Versorgung

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SGRAM - GDDR5

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.75GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.3V ~ 1.545V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

7134SA55JI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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