DGTD65T50S1PT
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| Teilenummer | DGTD65T50S1PT |
| PNEDA Teilenummer | DGTD65T50S1PT |
| Beschreibung | IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.730 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DGTD65T50S1PT Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DGTD65T50S1PT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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DGTD65T50S1PT Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 770µJ (on), 550µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 287nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 58ns/328ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max 55W Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/36ns Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/60ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS220™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™ |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 32A Leistung - max 350W Schaltenergie 11mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 155nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/270ns Testbedingung 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max 201W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
