DMN3022LDG-7
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| Teilenummer | DMN3022LDG-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3022LDG-7 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.372 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN3022LDG-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN3022LDG-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMN3022LDG-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.6A (Ta), 15A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 481pF @ 15V, 996pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.96W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 (Type D) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.15W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
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