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FGA6530WDF

FGA6530WDF

Nur als Referenz

Teilenummer FGA6530WDF
PNEDA Teilenummer FGA6530WDF
Beschreibung IGBT 650V 60A 176W TO3PN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.050
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 22 - Jul 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGA6530WDF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA6530WDF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA6530WDF, FGA6530WDF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 496,36 KB)
PDFFGA6530WDF Datenblatt Cover
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FGA6530WDF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
Leistung - max176W
Schaltenergie960µJ (on), 162µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge37.4nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/42.4ns
Testbedingung400V, 30A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)81ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT25GR120SD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

742µJ (on), 427µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

D3Pak

IRGB30B60KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGF4M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

23W

Schaltenergie

40µJ (on), 136µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/86ns

Testbedingung

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

133ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

IRG4PC40FD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

950µJ (on), 2.01mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

63ns/230ns

Testbedingung

480V, 27A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4PSH71UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

99A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

8.8mJ (on), 9.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

380nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/250ns

Testbedingung

960V, 70A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

Kürzlich verkauft

TPSB336K016R0350

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CAP TANT 33UF 10% 16V 1411

SMF05C.TCT

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Semtech

TVS DIODE 5V 12.5V SC70-6

AT93C57W-10SC

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Microchip Technology

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOIC

0451015.MRL

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 15A 65VAC/VDC 2SMD

89HP0604SBZBNRGI

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IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

SI9706DY-T1-E3

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Vishay Siliconix

IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

MC79M12CDTRKG

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ON Semiconductor

IC REG LINEAR -12V 500MA DPAK

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Microchip Technology

IC DGTL POT 10KOHM 256TAP 8SOIC

74V2G00STR

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STMicroelectronics

IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8

HCPL-3700-500E

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Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

CM2009-00QR

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ON Semiconductor

VGA PORT COMPANION-65 OHM QSOP16

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN