STGF4M65DF2
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| Teilenummer | STGF4M65DF2 |
| PNEDA Teilenummer | STGF4M65DF2 |
| Beschreibung | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.024 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGF4M65DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGF4M65DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGF4M65DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | M |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 16A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Leistung - max | 23W |
| Schaltenergie | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15.2nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/86ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 133ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 210µJ (on), 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/192ns Testbedingung 400V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 60A Leistung - max 540W Schaltenergie 1.4mJ (on), 3.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/320ns Testbedingung 480V, 50A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 24A Leistung - max 190W Schaltenergie 190µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/70ns Testbedingung 400V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max 201W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max 50W Schaltenergie 131µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/237ns Testbedingung 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
