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FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

Nur als Referenz

Teilenummer FGP10N60UNDF
PNEDA Teilenummer FGP10N60UNDF
Beschreibung IGBT 600V 20A 139W TO220-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 18.432
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGP10N60UNDF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGP10N60UNDF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGP10N60UNDF, FGP10N60UNDF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 328,98 KB)
PDFFGP10N60UNDF Datenblatt Cover
FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 2 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 3 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 4 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 5 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 6 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 7 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 8 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 9 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 10 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 11

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FGP10N60UNDF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 10A
Leistung - max139W
Schaltenergie150µJ (on), 50µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge37nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.8ns/52.2ns
Testbedingung400V, 10A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)37.7ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT40GP60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

385µJ (on), 352µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT80GA60LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

143A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

840µJ (on), 751µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/158ns

Testbedingung

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

APT36GA60BD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

109A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

307µJ (on), 254µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

NGB8202ANT4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

AIHD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

210µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/192ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-313

Kürzlich verkauft

LT1965EDD#PBF

LT1965EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN

D44VH10G

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ON Semiconductor

TRANS NPN 80V 15A TO220AB

VS-30BQ060TRPBF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

NB2305AI1HDR2G

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ON Semiconductor

IC BUFFER CLOCK 5OUT 3.3V 8-SOIC

LC4064V-75TN100C

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Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 64MC 7.5NS 100TQFP

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2

S3A-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

IXFK90N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA

APXH200ARA470MH70G

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United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 47UF 20% 20V SMD

ES1JAF

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

74HC123D

74HC123D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MULTIVIBRATR DUAL MONO 16SOIC