Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRGIB4610DPBF

IRGIB4610DPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGIB4610DPBF
PNEDA Teilenummer IRGIB4610DPBF
Beschreibung IGBT 600V FULLPAK220 COPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.546
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGIB4610DPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGIB4610DPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGIB4610DPBF, IRGIB4610DPBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 989,2 KB)
PDFIRGPS47160DPBF Datenblatt Cover
IRGPS47160DPBF Datenblatt Seite 2 IRGPS47160DPBF Datenblatt Seite 3 IRGPS47160DPBF Datenblatt Seite 4 IRGPS47160DPBF Datenblatt Seite 5 IRGPS47160DPBF Datenblatt Seite 6 IRGPS47160DPBF Datenblatt Seite 7 IRGPS47160DPBF Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRGIB4610DPBF Datasheet
  • where to find IRGIB4610DPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRGIB4610DPBF
  • IRGIB4610DPBF PDF Datasheet
  • IRGIB4610DPBF Stock

  • IRGIB4610DPBF Pinout
  • Datasheet IRGIB4610DPBF
  • IRGIB4610DPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRGIB4610DPBF Price
  • IRGIB4610DPBF Distributor

IRGIB4610DPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie122µJ (on), 56µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT68GA60LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

121A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

715µJ (on), 607µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/133ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

860µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/106ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

AUIRG4PH50S-205

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

251nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/845ns

Testbedingung

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

AOK20B135E1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/134ns

Testbedingung

600V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXGT28N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 28A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/175ns

Testbedingung

480V, 28A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Kürzlich verkauft

LTC3400BES6#TRMPBF

LTC3400BES6#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BOOST ADJ 600MA TSOT23-6

SP0506BAATG

SP0506BAATG

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

89HP0604SBZBNRGI

89HP0604SBZBNRGI

IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

TDA7267A

TDA7267A

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

AD734AQ

AD734AQ

Analog Devices

IC MULTIPLIER/DIVIDER 14CDIP

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

AS5163-HTSM

AS5163-HTSM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

ISL99227IRZ

ISL99227IRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227