FQA5N90_F109
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| Teilenummer | FQA5N90_F109 |
| PNEDA Teilenummer | FQA5N90_F109 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.860 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FQA5N90_F109 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQA5N90_F109 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FQA5N90_F109 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 185W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 158A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9445pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 429W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 830W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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