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GMM3X120-0075X2-SMDSAM

GMM3X120-0075X2-SMDSAM

Nur als Referenz

Teilenummer GMM3X120-0075X2-SMDSAM
PNEDA Teilenummer GMM3X120-0075X2-SMDSAM
Beschreibung MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD
Hersteller IXYS
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GMM3X120-0075X2-SMDSAM Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGMM3X120-0075X2-SMDSAM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
GMM3X120-0075X2-SMDSAM, GMM3X120-0075X2-SMDSAM Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 304,22 KB)
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GMM3X120-0075X2-SMDSAM Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket24-SMD

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Serie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

914pF @ 6V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Leistung - max

4.8W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4.8A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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EPC

Hersteller

EPC

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 15V, 590pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Die

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

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