HYB18T1G800BF-3S
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| Teilenummer | HYB18T1G800BF-3S |
| PNEDA Teilenummer | HYB18T1G800BF-3S |
| Beschreibung | IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA |
| Hersteller | Qimonda |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.992 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 2 - Jun 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HYB18T1G800BF-3S Ressourcen
| Marke | Qimonda |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HYB18T1G800BF-3S |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
HYB18T1G800BF-3S, HYB18T1G800BF-3S Datenblatt
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HYB18T1G800BF-3S Technische Daten
| Hersteller | Qimonda |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 68-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 68-TFBGA (17x10) |
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