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IGC18T120T8LX1SA2

IGC18T120T8LX1SA2

Nur als Referenz

Teilenummer IGC18T120T8LX1SA2
PNEDA Teilenummer IGC18T120T8LX1SA2
Beschreibung IGBT 1200V 15A SAWN ON FOIL
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.298
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IGC18T120T8LX1SA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGC18T120T8LX1SA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGC18T120T8LX1SA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.07V @ 15V, 15A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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IHW30N120R2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

3.1mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/792ns

Testbedingung

600V, 30A, 28Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

SGL40N150TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

3.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IRG4BC30WPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

AOT15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Leistung - max

214W

Schaltenergie

290µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/116ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

317ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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