IGP06N60TXKSA1
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| Teilenummer | IGP06N60TXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGP06N60TXKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 12A 88W TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGP06N60TXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGP06N60TXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGP06N60TXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 6A |
| Leistung - max | 88W |
| Schaltenergie | 200µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 42nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 9ns/130ns |
| Testbedingung | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 140W Schaltenergie 85µJ (on), 189µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/97ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 143A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 47A Leistung - max 625W Schaltenergie 840µJ (on), 751µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/158ns Testbedingung 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A Leistung - max 347W Schaltenergie 930µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/150ns Testbedingung 800V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A Leistung - max 40W Schaltenergie 300µJ (on), 1.28mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21.5ns/180ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
