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IGW03N120H2FKSA1

IGW03N120H2FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGW03N120H2FKSA1
PNEDA Teilenummer IGW03N120H2FKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.408
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IGW03N120H2FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGW03N120H2FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IGW03N120H2FKSA1, IGW03N120H2FKSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 341,01 KB)
PDFIGP03N120H2XKSA1 Datenblatt Cover
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IGW03N120H2FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)9.6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)9.9A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 3A
Leistung - max62.5W
Schaltenergie290µJ
EingabetypStandard
Gate Charge22nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.9.2ns/281ns
Testbedingung800V, 3A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

1.31mJ (on), 1.12mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/96ns

Testbedingung

800V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

63ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

165A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

4.3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/90ns

Testbedingung

450V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

STGF6NC60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

20W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

FGP10N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

Leistung - max

139W

Schaltenergie

150µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/52.2ns

Testbedingung

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37.7ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

APT40GP90B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

101A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

795µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/90ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

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