IRF7351TRPBF
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| Teilenummer | IRF7351TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF7351TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 610.638 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7351TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7351TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF7351TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 30V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V Leistung - max 33W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-10 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.1A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 24V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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