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IRG4BC20KD-STRR

IRG4BC20KD-STRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC20KD-STRR
PNEDA Teilenummer IRG4BC20KD-STRR
Beschreibung IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.762
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG4BC20KD-STRR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC20KD-STRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC20KD-STRR, IRG4BC20KD-STRR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 225,91 KB)
PDFIRG4BC20KD-STRR Datenblatt Cover
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IRG4BC20KD-STRR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)32A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 9A
Leistung - max60W
Schaltenergie340µJ (on), 300µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge34nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.54ns/180ns
Testbedingung480V, 9A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)37ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IRG4BC20UD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/93ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

420A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 85A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

200µJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

136nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

200V, 42.5A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKA15N65ET6XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

57.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 11.5A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

230µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/117ns

Testbedingung

400V, 11.5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

69ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3 Full Pack

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/165ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

165ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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