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IRGPS40B120UDP

IRGPS40B120UDP

Nur als Referenz

Teilenummer IRGPS40B120UDP
PNEDA Teilenummer IRGPS40B120UDP
Beschreibung IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.662
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 26 - Jul 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGPS40B120UDP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGPS40B120UDP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGPS40B120UDP, IRGPS40B120UDP Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 133,75 KB)
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IRGPS40B120UDP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Leistung - max595W
Schaltenergie1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)180ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-274AA
LieferantengerätepaketSUPER-247™ (TO-274AA)

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Hersteller

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Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

121A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

715µJ (on), 607µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

298nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/133ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGH60N60SMD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.26mJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

189nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/104ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

39ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGB20B60PD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

215W

Schaltenergie

95µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/115ns

Testbedingung

390V, 13A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4PC40KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

SGW13N60UFDTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

85µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/70ns

Testbedingung

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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