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IRGS4B60KD1TRLP

IRGS4B60KD1TRLP

Nur als Referenz

Teilenummer IRGS4B60KD1TRLP
PNEDA Teilenummer IRGS4B60KD1TRLP
Beschreibung IGBT 600V 11A 63W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.704
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGS4B60KD1TRLP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGS4B60KD1TRLP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGS4B60KD1TRLP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)22A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 4A
Leistung - max63W
Schaltenergie73µJ (on), 47µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge12nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/100ns
Testbedingung400V, 4A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)93ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CooliRIGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IHW50N65R5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

282W

Schaltenergie

740µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/220ns

Testbedingung

400V, 25A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

NGTG15N60S1EG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

117W

Schaltenergie

550µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

STGW30H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

350µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

AOD5B65N1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

81µJ (on), 49µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/73ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

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