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IRLML5203

IRLML5203

Nur als Referenz

Teilenummer IRLML5203
PNEDA Teilenummer IRLML5203
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
Hersteller Infineon Technologies
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IRLML5203 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLML5203
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLML5203, IRLML5203 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 139,62 KB)
PDFIRLML5203 Datenblatt Cover
IRLML5203 Datenblatt Seite 2 IRLML5203 Datenblatt Seite 3 IRLML5203 Datenblatt Seite 4 IRLML5203 Datenblatt Seite 5 IRLML5203 Datenblatt Seite 6 IRLML5203 Datenblatt Seite 7 IRLML5203 Datenblatt Seite 8 IRLML5203 Datenblatt Seite 9 IRLML5203 Datenblatt Seite 10

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IRLML5203 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds510pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.25W (Ta)
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketMicro3™/SOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FDD6680AS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STW18NK80Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

FQPF9N25

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 3.35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FDP7N60NZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET-II™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

147W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

NVJS4405NT1G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

630mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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