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IXDH35N60BD1

IXDH35N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXDH35N60BD1
PNEDA Teilenummer IXDH35N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 60A 250W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXDH35N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDH35N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXDH35N60BD1, IXDH35N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 196,65 KB)
PDFIXDH35N60BD1 Datenblatt Cover
IXDH35N60BD1 Datenblatt Seite 2 IXDH35N60BD1 Datenblatt Seite 3 IXDH35N60BD1 Datenblatt Seite 4

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IXDH35N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)70A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 35A
Leistung - max250W
Schaltenergie1.6mJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung300V, 35A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXDH)

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

330µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/60ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG7PH35U-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 620µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IXGL75N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

Leistung - max

430W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

FGA180N33ATTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

180A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRGB14C40LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/6µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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